Аннотация:
Рассмотрены возможности приме­нения микроэлектронной технологии для формирования элементов дифракционной оптики высокого разрешения. Описываются различные литографические методы создания топологии. Основное внимание уделено методу электронно-лучевой литографии и особенностям его применения при решении задач компьютерной оптики. Операции микроструктурирования рассмотрены на примерах изготовле­ния дифракционных элементов для мягкого рентгеновского диапазона.

Литература:

1. Рентгеновская оптика и микроскопия / П/р Г. Шмаля и Д. Рудольфа.  М.: Мир, 1987.
   
2. Броудай и., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985.
   
3. Бабин С.В., Давыдов А.В., Ерко А,И. ПТЭ, 1987, № 2, с. 191-195.
   
4. Aristov V.V., Вabin S.V., Davidоv A.V., Erkо A.I., Svintsov A.A., Redkin S.V. Microelectronic Engineering, 1987, N 6, c. 129-134.
   
5. Бабин С.В., Давыдов А.В., Ерко А.И., Свинцов А.А. Поверхность. Физика. Химия. Механика.1988, № 4, с. 79-82.
6. Давыдов А.В., Ерко А.И., Панченко Л.А., Редькин С.В., Сазонова Г.Д., Юнкин В.А. Пись­ма в ЖТФ, 1987, 13, вып. 16, с. 1017-1020.
   

© 2009, ИСОИ РАН
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: ko@smr.ru ; тел: +7 (846 2) 332-56-22, факс: +7 (846 2) 332-56-20