(39-2) 09 * <<>> * Русский * English * Содержание * Все выпуски

Некоторые особенности нового метода формирования микрорельефа путём прямого электронно-лучевого травления резиста
Брук М.А., Жихарев Е.Н., Стрельцов Д.Р., Кальнов В.А., Спирин А.В., Рогожин А.Е.

Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова,
Физико-технологический институт Российской академии наук,
Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова Российской академии наук

 

DOI: 10.18287/0134-2452-2015-39-2-204-210

  PDF

Аннотация:
Представлены некоторые результаты, касающиеся механизма, особенностей и практических возможностей предложенного авторами прямого метода формирования изображения в некоторых позитивных резистах непосредственно в процессе экспонирования электронным лучом в вакууме. На примере резиста из полиметилметакрилата показано, в частности, что этот метод удобен для получения микро- и наноструктур со скруглённым профилем сечения, а также для получения пространственных 3D-структур с хорошей точностью вертикальных размеров изображения и низкой шероховатостью поверхности. Представленные данные в целом, по мнения авторов, указывают на потенциальные прикладные возможности предлагаемого метода, в частности, для изготовления дифракционных оптических элементов.

Ключевые слова:
электронно-лучевая литография, новый сухой метод формирования микрорельефа, оптоэлектроника, дифракционные оптические элементы, 3D-структуры.

Цитирование:
Брук, М.А. Некоторые особенности нового метода формирования микрорельефа путём прямого электронно-лучевого травления резиста / М.А. Брук, Е.Н. Жихарев, Д.Р. Стрельцов, В.А. Кальнов, А.В. Спирин, А.Е. Рогожин // Компьютерная оптика. – 2015. – Т. 39, № 2. – С. 204-210. – DOI: 10.18287/0134-2452-2015-39-2-204-210.

Citation: Bruk MA, Zhikharev EN, Streltsov DR, Kalnov VA, Spirin AV, Rogozhin AE. Some peculiarities of a new method of microrelief creation by the direct electron-beam etching of resist. Computer Optics 2015; 39(2): 204-210. DOI: 10.18287/0134-2452-2015-39-2-204-210.

Литература:

  1. Дифракционная нанофотоника / А.В. Гаврилов, Д.Л. Го-ловашкин, Л.Л. Досколович, П.Н. Дьяченко, А.А. Кова-лёв, В.В. Котляр, А.Г. Налимов, Д.В. Нестеренко, В.С. Павельев, Р.В. Скиданов, В.А. Сойфер, С.Н. Хони-на, Я.О. Шуюпова; под ред. В.А. Сойфера. – М.: Физматлит, 2011. – 680 с.
  2. Di Fabrizio, E. Fabrication of Diffractive Optical Elements by Electron Beam Lithography / E.Di Fabrizio, L. Grella, M. Baciocchi, M. Gentili // Diffractive Optics and Optical Microsystems; ed. S. Martellucci, Arthur N. Chester. – New York: Plenum Press, ‎1997. – P. 149-160.
  3. Волков, А.В. Формирование микрорельефа ДОЭ с использованием достижений микроэлектроники / А.В. Волков, Р.В. Скиданов // Компьютерная оптика. – 2001. – № 22. – С. 65-71.
  4. Нестеренко, Д.В. Создание криволинейных дифракционных решёток для ультрафиолетового диапазона / Д.В. Нестеренко, С.Д. Полетаев, О.Ю. Моисеев, Д.М. Якуненкова, А.В. Волков, Р.В. Скиданов // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. – 2011. – Т. 13, №4. – С. 66-71.
  5. Валиев, К.А. Физика субмикронной литографии / К.А. Валиев. – М.: Наука, 1990. – 528 с.
  6. Murali, R. Metrology for Grayscale Lithography / R. Murali // AIP Conference Proceedings. – 2007. – Vol. 931. – P. 419-422.
  7. Брук, М.А. Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах / М.А. Брук, Е.Н. Жихарев, В.А. Кальнов, А.В. Спирин, Д.Р. Стрельцов // Патент РФ на изобретение №2478226 от 06.09.2011, Бюл. № 9.
  8. Bruk, M.A. The new dry method of mask (relief) formation by direct electron-beam etching of resist / M.A. Bruk, E.N. Zhikharev, D.R. Streltsov, V.A. Kalnov, A.V. Spirin // Microelectronic Engineering. – 2013. – Vol. 112. – P. 1-4.
  9. Schleunitz, A. Combining nanoimprint lithography and a molecular weight selective thermal reflow for the generation of mixed 3D structures / A. Schleunitz, Ch. Spreu, M. Vog-ler, H. Atasoy and H. Schift // J. Vac. Sci. Technol. B. – 2011. – Vol. 29. – P. 06FC01.
  10. Брук, М.А. Радиационная деполимеризация полиметил-метакрилата, адсорбированного на силохроме / М.А. Брук, М.В. Кондратьева, А.А. Баранов, К.В. Пе-балк, А.М. Сергеев, Н.В. Козлова // Высокомолекулярные соединения. Серия А. – 1999. – Т. 41, № 2. – С. 256-262.

© 2009, ИСОИ РАН
Россия, 443001, Самара, ул. Молодогвардейская, 151; электронная почта: journal@computeroptics.ru ; тел: +7 (846) 242-41-24 (ответственный секретарь), +7 (846) 332-56-22 (технический редактор), факс: +7 (846) 332-56-20